Технология GaN (нитрид галлия) – это не просто новый материал, а фундаментальный прорыв в силовой электронике. Если кремниевые транзисторы десятилетиями были стандартом, то GaN предлагает в 3-5 раз более высокую скорость переключения и в 10 раз меньшие потери энергии.
Чем GaN лучше кремния?
✔ Эффективность
Кремний: Теряет до 20-30% энергии в виде тепла из-за высокого сопротивления.
GaN: Потери менее 5% благодаря широкой запрещенной зоне (3.4 эВ против 1.1 эВ у Si).
✔ Тепловыделение
Кремний: Требует массивных радиаторов, иначе перегревается.
GaN: Работает при более высоких температурах без деградации, что позволяет делать адаптеры компактнее и легче.
✔ Плотность мощности
GaN-чипы могут быть в 5 раз меньше кремниевых при той же мощности.
Это значит: 100 Вт USB-адаптер размером с 30 Вт – вполне реален.
✔ Частота переключения
Кремний: Ограничен десятками-сотнями кГц.
GaN: Легко работает на мегагерцах, что позволяет использовать меньшие трансформаторы и конденсаторы.
Для специалистов:
GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) обеспечивает меньший Rds(on) и быструю рекуперацию обратного диода.
КПД преобразователей на GaN достигает 98% против 90-93% у лучших Si-решений.
Для обычных пользователей:
Это просто очень маленькие, но мощные зарядки, которые не перегреваются и заряжают всё быстро.
У ROBITON теперь есть GaN-адаптеры – с передовой электроникой, но без лишнего веса и габаритов:
✦ ROBITON CHARGER35-UCB GAN 35Вт 3000мА USB/Type C BL1
✦ ROBITON CHARGER35-UCW GAN 35Вт 3000мА USB/Type C BL1
Оба адаптера в наличии на нашем складе и готовы к отгрузке.
 |
 |
 |
 |
215-195-025